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参数目录43127
> IRFH8337TR2PBF MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
型号:
IRFH8337TR2PBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFH8337TR2PBF PDF
标准包装
1
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
12.8 毫欧 @ 16.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.35V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
10nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
790pF @ 10V
功率 - 最大
3.2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商设备封装
PQFN(5x6)
包装
剪切带 (CT)
其它名称
IRFH8337TR2PBFCT
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